南山區(qū)促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項扶持措施

　　第一條  為深入實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦落實粵港澳大灣區(qū)和深圳先行示范區(qū)“雙區(qū)驅(qū)動”戰(zhàn)略，落實國家、省、市關于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署，促進南山區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，根據(jù)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》和《關于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》等有關規(guī)定，制定本措施。

　　第二條  區(qū)科技創(chuàng)新局為本措施的主管部門，區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金領導小組、區(qū)科技創(chuàng)新局分項資金審批專責小組為本措施的決策審批機構，相關部門按有關規(guī)定履行職責。本措施資金量受區(qū)科技創(chuàng)新局分項資金總量控制，但在資金總量控制范圍內(nèi)可適當調(diào)整。

　　第三條  本措施適用于注冊登記在南山區(qū)，且具備獨立法人資格的集成電路類企業(yè)、機構（以下合稱企業(yè)）；注冊登記在南山區(qū)且按國家統(tǒng)計局相關規(guī)定可視同法人單位的主體。

　　第四條  本措施申報主體原則上應符合《南山區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金管理辦法》及本措施規(guī)定的“注冊地”、“獨立法人”、“每家單位單個扶持項目資助金額原則上不得超過1000萬元”等相關條件，但以下情形除外：

　?。ㄒ唬┥陥筇貏e重大項目等支持計劃的主體不受《南山區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金管理辦法》規(guī)定的“注冊地”、“獨立法人”資格條件限制；按國家統(tǒng)計局相關規(guī)定可視同法人單位的主體不受《南山區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金管理辦法》規(guī)定的“獨立法人”資格條件限制。

　?。ǘ﹦?chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊項目支持、公共服務平臺建設支持、特別重大項目支持等支持計劃的項目不受《南山區(qū)促進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項資金管理辦法》規(guī)定的“每家單位單個扶持項目資助金額原則上不得超過1000萬元”總量控制限制。

　　第五條  創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊項目支持。

　　引進和培育具有先進理念和管理水平、掌握核心技術的集成電路設計領域創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊。對入選深圳市高層次人才團隊的項目，市、區(qū)疊加給予最高1.2億元資助；對入選廣東省引進創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊的項目，省、市、區(qū)疊加給予最高2.2億元資助。

　　第六條  核心設備購買支持。

　　對集成電路設計企業(yè)購買核心設備（實際交易價格20萬元以上），按照購置額最高20%給予補貼，每家企業(yè)每年最高補貼100萬元。

　　第七條  關鍵技術攻關支持。

　　支持轄區(qū)集成電路設計企業(yè)針對重點發(fā)展的高端領域和關鍵環(huán)節(jié)，開展具有重大創(chuàng)新性和突破性的技術研發(fā)活動。對獲得市科技行政主管部門科技重大專項（集成電路產(chǎn)業(yè)重點項目）資助的牽頭單位，按照獲得市級資助金額最高60%給予資助，每個項目最高資助600萬元。

　　第八條  EDA/IP購買支持。

　　支持集成電路企業(yè)購買IP（來源于IP提供商、EDA供應商或者代工廠IP模塊）、EDA工具開展芯片研發(fā)，對上一年度購買IP、EDA設計工具的企業(yè)，按照支付費用最高60%給予補貼，每家企業(yè)每年分別給予購買IP、EDA設計工具補貼最高200萬元。

　　第九條  EDA研發(fā)支持。

　　對從事EDA工具軟件研發(fā)的企業(yè)，按照EDA研發(fā)費用最高20%給予一次性最高1000萬元補貼。

　　第十條  流片服務支持。

　　對集成電路企業(yè)首次工程流片進行支持，按照上一年度首次工程流片費用（含掩模版制作、流片等）最高10%給予補貼，大于28nm（含）的工藝節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼150萬元， 7nm（不含）到28nm（不含）節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼300萬元，小于7nm（含）節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼500萬元；對使用多項目晶圓（MPW）流片進行研發(fā)的企業(yè)，按照上一年度MPW流片費用最高10%給予補貼，大于28nm（含）的工藝節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼100萬元，7nm（不含）到28nm（不含）節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼200萬元，小于7nm（含）以下節(jié)點，每家企業(yè)每年最高補貼300萬元。

　　第十一條  公共服務平臺建設支持。

　　對圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領域的技術研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化共性服務需求，建設設計服務、測試驗證等公共服務的創(chuàng)新平臺，經(jīng)區(qū)科技主管部門評審通過后，每年最高資助2000萬元，連續(xù)資助時間不超過3年。

　　第十二條  工程樣片測試驗證支持。

　　對開展工程樣片的功能、性能、可靠性、兼容性、失效分析等方面的測試驗證及相關認證的集成電路設計企業(yè)，按照實際發(fā)生費用最高30%給予資助，每家企業(yè)每年最高資助100萬元。

　　第十三條  芯片推廣支持。

　　支持本轄區(qū)整機和集成電路設計企業(yè)聯(lián)動發(fā)展。對南山區(qū)整機企業(yè)購買本轄區(qū)集成電路設計企業(yè)自主開發(fā)的芯片，按照上一年度單款芯片采購金額最高20%給予獎勵，每家企業(yè)每年最高獎勵20萬元。

　　第十四條  特別重大項目支持。

　　對符合南山區(qū)戰(zhàn)略布局，具有科技創(chuàng)新支撐作用的重大集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項目，報區(qū)政府采用“一事一議”方式予以審定支持。

　　第十五條  本措施自2024年4月8日起施行，有效期三年。本措施與南山區(qū)其他同類扶持措施，由申報主體按照從高不重復原則選擇適用。執(zhí)行期間如遇國家、省、市有關政策調(diào)整的，根據(jù)新政策做相應調(diào)整。

　　第十六條  本措施由區(qū)科技創(chuàng)新局負責解釋，并制定與本措施相關的操作規(guī)程。