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高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定

專注于高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定、專精特新、知識產(chǎn)權(quán)咨詢服務(wù)、人才認(rèn)定、貸款貼息、國家標(biāo)準(zhǔn)、貫標(biāo)等政府補(bǔ)貼項(xiàng)目申報(bào)！

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服務(wù)項(xiàng)目

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關(guān)于2022年度深圳市技術(shù)攻關(guān)重大項(xiàng)目的申報(bào)通知
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 各有關(guān)單位：

　　深圳市科技創(chuàng)新委員會2022年度技術(shù)攻關(guān)重大項(xiàng)目申請指南已發(fā)布，具體項(xiàng)目內(nèi)容如下：



       一、申請內(nèi)容

　　為進(jìn)一步加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)支持力度，增強(qiáng)我市高 新技術(shù)產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng)新能力，打破 重大關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的局面，加快實(shí)現(xiàn)科技自立自 強(qiáng)，采取“揭榜掛帥”方式對我市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域、 優(yōu)先主題的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。



　　二、設(shè)定依據(jù)

　　(一)《深圳經(jīng)濟(jì)特區(qū)科技創(chuàng)新條例》，深圳市第六屆 人民代表大會常務(wù)委員會公告，第 205 號;

　　(二)《關(guān)于促進(jìn)科技創(chuàng)新的若干措施》，中共深圳市 委，深發(fā)〔2016〕7 號;

　　(三)《深圳市科技計(jì)劃管理改革方案》，深圳市人民 政府，深府〔2019〕1 號;

　　(四)《深圳市科技計(jì)劃項(xiàng)目管理辦法》，深圳市科技 創(chuàng)新委員會，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2019〕1 號;

　　(五)《深圳市科技研發(fā)資金管理辦法》，深圳市科技 創(chuàng)新委員會、深圳市財(cái)政局，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2019〕2 號;

　　(六)《深圳市技術(shù)攻關(guān)專項(xiàng)管理辦法》，深圳市科技 創(chuàng)新委員會，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2020〕13 號;

　　(七)《深圳市科技計(jì)劃項(xiàng)目實(shí)施過程與驗(yàn)收管理辦法 (試行)》，深圳市科技創(chuàng)新委員會，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2020〕 14 號 。



　　三、支持強(qiáng)度與方式

　　支持強(qiáng)度：有數(shù)量限制，受科技研發(fā)資金年度總額控制， 單個(gè)項(xiàng)目資助強(qiáng)度最高不超過 3000 萬元。

　　支持方式：事前資助，本批次首筆資助資金納入 2022 年度市級財(cái)政預(yù)算安排。



　　四、申請條件

　　申請技術(shù)攻關(guān)重大項(xiàng)目資助應(yīng)當(dāng)符合以下條件：

　　(一)申請單位應(yīng)當(dāng)是在深圳市或深汕特別合作區(qū)內(nèi) 依法注冊、具有法人資格的高等院校、科研機(jī)構(gòu)、國家或者 深圳市高新技術(shù)企業(yè)(證書發(fā)證年度為 2019 年、2020 年或2021 年)以及上年度研發(fā)費(fèi)用超過 5000 萬元的龍頭骨干企業(yè)。企業(yè)牽頭申報(bào)的，2021 年度營業(yè)收入應(yīng)在 1 億元以上(含 1 億元);

　　(二)采用聯(lián)合申報(bào)方式。鼓勵產(chǎn)學(xué)研用組成創(chuàng)新聯(lián)合體合作攻關(guān)，深圳市內(nèi)外(含港澳)的高等院校、科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)和社會組織等單位可作為合作單位參與項(xiàng)目;申請單位為高等院校、科研機(jī)構(gòu)或 2021 年度營業(yè)收入不足 5 億元的企業(yè)的，合作單位應(yīng)有至少 1 家在深圳市或深汕特別合作區(qū)內(nèi)依法注冊的企業(yè) 2021 年度營業(yè)收入在 5 億元以上(含 5 億元);

　　(三)申請單位應(yīng)當(dāng)具有良好的研發(fā)基礎(chǔ)和條件(在深具備研發(fā)場地、設(shè)施、人員等條件)、健全的財(cái)務(wù)制度和優(yōu) 秀的技術(shù)及管理團(tuán)隊(duì)，能提供相應(yīng)的配套資金，項(xiàng)目自籌資 金不低于申請的財(cái)政資助資金;申請單位為高等院校、科研機(jī)構(gòu)的，項(xiàng)目自籌資金也應(yīng)符合本規(guī)定(可由參與單位提供);

　　(四)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人必須為申請單位的全時(shí)在職人員(應(yīng) 在申請單位購買社會保險(xiǎn))，且項(xiàng)目完成年度不超過 60 周歲(1965 年 1 月 1 日后出生);項(xiàng)目組主要成員中申請單位人數(shù)不少于單個(gè)合作單位人數(shù);項(xiàng)目組成員總?cè)藬?shù)(以申請 書上填報(bào)數(shù)量為準(zhǔn)，并應(yīng)與可行性研究報(bào)告中項(xiàng)目組成員列 表對應(yīng))的 50%以上須在深圳購買社會保險(xiǎn);

　　(五)聯(lián)合申報(bào)應(yīng)注意以下事項(xiàng)： 

       1.合作單位最多為 4 家;

　　2. 申請書中填報(bào)合作單位名稱并加蓋合作單位公章;

　　3. 合作協(xié)議中應(yīng)明確申請單位和合作單位的研發(fā)內(nèi)容 分工、知識產(chǎn)權(quán)分配等相關(guān)內(nèi)容;

　　4. 申請單位資金分配比例不少于單個(gè)合作單位的分配 比例，深圳市外單位作為合作單位的，不參與分配財(cái)政資助 資金;

　　(六)本項(xiàng)目申請實(shí)行限項(xiàng)制，具體要求是：

　　1. 申請單位為企業(yè)的，同一單位限牽頭申請 1 個(gè)本批次技術(shù)攻關(guān)重大項(xiàng)目;2021 年度研究開發(fā)費(fèi)用支出超過 5 億元的企業(yè)不受此條款限制;

　　2. 項(xiàng)目申請單位、合作單位、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、項(xiàng)目組主要 成員均未被列入深圳市科研誠信異常名錄和超期未申請驗(yàn) 收名單;項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、項(xiàng)目組主要成員未被列入深圳市科技 創(chuàng)新委員會驗(yàn)收不通過名單;項(xiàng)目申請單位、合作單位不存 在未在規(guī)定期限內(nèi)退回財(cái)政資金的情形;

　　3. 主持或者參與本批次項(xiàng)目決策咨詢、課題論證、編制 指南的咨詢專家組成員不得申報(bào)本批次技術(shù)攻關(guān)重大項(xiàng)目;

　　(七)如果項(xiàng)目申請涉及科研倫理或科技安全(如生物 安全、信息安全等)相關(guān)問題，申請單位應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格執(zhí)行國家 有關(guān)法律法規(guī)和倫理準(zhǔn)則。



課題內(nèi)容：



　　重2022D001國產(chǎn)8K超高解析度變焦防抖鏡頭研制

　　一、領(lǐng)域：一、電子信息--(五)廣播影視技術(shù)

　　二、研究內(nèi)容：

　　開展國產(chǎn)8K超高解析度變焦防抖鏡頭關(guān)鍵技術(shù)研究，開發(fā)高精度非球面透鏡技術(shù)、鍍膜技術(shù)、自動伺服變焦技術(shù)、光學(xué)防抖技術(shù)及軟件電子防抖算法等關(guān)鍵核心技術(shù)，研制出國產(chǎn)8K超高解析度變焦防抖鏡頭、開發(fā)和定義國產(chǎn)卡口標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)鏡頭和攝像機(jī)機(jī)身快速可靠連接和通訊;開展國產(chǎn)8K超高解析度變焦防抖鏡頭和國產(chǎn)卡口試制驗(yàn)證，優(yōu)化完善關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：完成國產(chǎn)8K超高解析度變焦防抖鏡頭銷售不少于2000件。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　單個(gè)鏡頭實(shí)現(xiàn)12-300mm變焦，

　　可變光圈F/2.8至F/11;

　　相對照度大于70%，畸變小于2%;

　　奈奎斯特頻率處MTF值高于0.4

　　鏡頭支持手動和自動變焦功能、手動和自動對焦功能、手動和自動光圈調(diào)節(jié)功能;

　　自動變焦功能的伺服變焦精度小于1%、伺服往復(fù)精度小于1%;

　　自動對焦時(shí)間小于0.1S。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：中期評估式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過1000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。



　　重2022D002 國產(chǎn)8K超高清監(jiān)視器關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：一、電子信息--(五)廣播影視技術(shù)

　　二、研究內(nèi)容：

　　開展國產(chǎn)8K超高清監(jiān)視器關(guān)鍵技術(shù)研究，主要包括8K SDI信號高速傳輸和解碼技術(shù)、基于3D LUT色彩管理器的色彩準(zhǔn)確還原技術(shù)研發(fā)、基于超多分區(qū)區(qū)域調(diào)光的超高對比度處理技術(shù)、超高清幀率轉(zhuǎn)化和運(yùn)動補(bǔ)償技術(shù)、監(jiān)視器智能AI人機(jī)交互技術(shù)等方面的研究內(nèi)容。同時(shí)，開展國產(chǎn)8K視頻監(jiān)視器對應(yīng)的專業(yè)背光模組關(guān)鍵技術(shù)研究，包括監(jiān)視器專業(yè)背光模組超高亮度技術(shù)研究、監(jiān)視器專業(yè)背光模組超高色域技術(shù)研究、監(jiān)視器屏體均一性補(bǔ)償算法提升技術(shù)研究等。研制國產(chǎn)8K超高清監(jiān)視器，開展試制驗(yàn)證和優(yōu)化完善關(guān)鍵技術(shù)與系統(tǒng)平臺，實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：形成國產(chǎn)8K超高清監(jiān)視器不少于100臺的應(yīng)用示范。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　支持8K分辨率;

　　支持50/60/100/120P幀率視頻信號顯示;

　　色域大于BT2020 80%;

　　色深≥10bit;

　　BT709/DCI-P3/BT.2020平均色差△E≤1.5;

　　峰值亮度大于1000nits;

　　支持1000區(qū)以上Local Dimming區(qū)域調(diào)光、暗場亮度低于0.05nits;

　　支持國內(nèi)外主流HDR標(biāo)準(zhǔn);

　　支持4路12G-SDI通道、兼容3G-SDI通道信號;

　　支持AI遠(yuǎn)場語音交互;

　　支持AI圖像識別與處理。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。



　　重2022D003 400G&800G長距相干光模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　一、領(lǐng)域：一、電子信息-(四)通信技術(shù)

　　二、研究內(nèi)容：

　　研究高速大容量光傳輸?shù)母唠A振幅和相位聯(lián)合鍵控調(diào)制、超高靈敏度相干探測和恢復(fù)技術(shù)，開發(fā)集成高階調(diào)制和相干接收光器件;研究窄線寬可調(diào)激光器C++波段頻率鎖定技術(shù)，高功率穩(wěn)定技術(shù)，開發(fā)國產(chǎn)iTLA窄線寬可調(diào)激光器;研究高性能相干DSP軟判決前向誤碼糾錯技術(shù)、色散補(bǔ)償?shù)菵SP數(shù)字信號處理技術(shù)，開發(fā)DSP離線實(shí)驗(yàn)平臺;研制具有自主知識產(chǎn)權(quán)的800G和可插拔單波400G長距相干光模塊產(chǎn)品;突破400G&800G長距相干光模塊及核心光器件設(shè)計(jì)技術(shù)和生產(chǎn)工藝技術(shù)瓶頸;實(shí)現(xiàn)長距相干光模塊深圳本地的產(chǎn)業(yè)化，帶動國內(nèi)高速率相干光模塊整體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：項(xiàng)目期內(nèi)400G單載波可插拔光模塊及配套單板銷售收入≥2000萬元，項(xiàng)目期內(nèi)800G相干光模塊及配套單板銷售收入≥8000萬元;實(shí)現(xiàn)深圳本地量產(chǎn)，國產(chǎn)替代率≥50%。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請發(fā)明專利≥20件，其中國際專利≥10件; 完成技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)提案≥2件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　(1)完成國產(chǎn)集成高速率調(diào)制、相干接收光芯片研制，封裝后光器件靜態(tài)插入損耗≤19dB，波特率≥64GBaud。

　　(2)完成研制國產(chǎn)iTLA窄線寬可調(diào)激光器樣品，輸出光功率≥16dBm，線寬≤100KHz，通道間隔50GHz，通道數(shù)80，波長范圍符合C++波段。

　　(3)完成400G DSP FEC算法、色散補(bǔ)償?shù)葦?shù)字信號處理算法研究，實(shí)現(xiàn)400G 16QAM光傳輸系統(tǒng)離線驗(yàn)證，系統(tǒng)背靠背B2B OSNR≤23dB，F(xiàn)EC凈編碼增益(NCG)，在16QAM格式下≥11.3dB。

　　(4)完成基于自研集成相干收發(fā)光器件的400G單載波可插拔光模塊研制，400G 16QAM OSNR容限≤23.5dB，無電中繼傳輸距離≥700km，光模塊功耗≤29W。

　　(5)完成800G相干光模塊研制，相干模塊內(nèi)部支持800G客戶側(cè)業(yè)務(wù)交叉調(diào)度; 2x200G DP-QPSK OSNR容限≤14.5dB，無電中繼傳輸距離≥1500km;2x400G 16QAM OSNR容限≤22.4dB，無電中繼傳輸距離≥800km;光模塊功耗≤150W。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D004光接入局端核心交換芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　一、領(lǐng)域：一、電子信息-(四)通信技術(shù)

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)面向國家寬帶雙千兆發(fā)展戰(zhàn)略和下一代光接入50G-PON的規(guī)模部署需求，研發(fā)光接入局端設(shè)備OLT的核心交換芯片和大容量高性能OLT系統(tǒng)設(shè)備。 研發(fā)基于定長信元交換技術(shù)的大容量高性能的OLT核心交換芯片，突破多業(yè)務(wù)承載問題和提高系統(tǒng)交換性能;實(shí)現(xiàn)單芯片集成交換、NP、TM和MAC功能，提高集成度和降低功耗;研究芯片內(nèi)置可編程業(yè)務(wù)NP，通過靈活編程，支持多種上聯(lián)協(xié)議和封裝等;研究內(nèi)置硬加速器支持隨流檢測新技術(shù)，提高設(shè)備智能運(yùn)維能力;研究基于信用的隊(duì)列調(diào)度技術(shù)、精確的隊(duì)列整形技術(shù)和隊(duì)列動態(tài)調(diào)整技術(shù)，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)承載的確定性時(shí)延、抖動和帶寬指標(biāo)。

　　(二)基于此芯片研發(fā)交換和業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)發(fā)分離的大容量分布式OLT設(shè)備;研發(fā)高密度的10G-PON線卡、50G-PON線卡和100G上聯(lián)主控板;實(shí)現(xiàn)OLT設(shè)備從10G-PON平滑演進(jìn)到50G-PON。研究TSN技術(shù)與PON技術(shù)的融合，實(shí)現(xiàn)確定性業(yè)務(wù)在PON網(wǎng)絡(luò)上的承載;實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)質(zhì)量實(shí)時(shí)監(jiān)測，支撐PON自智網(wǎng)絡(luò)。實(shí)現(xiàn)基于此芯片的大容量OLT設(shè)備的大規(guī)模批量商用。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：項(xiàng)目期內(nèi)局端OLT設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售收入≥2億元。超大容量OLT設(shè)備使用國產(chǎn)核心交換芯片，年發(fā)貨量比例大于80%。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥20件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：核心交換芯片支持不低于128B信元線速交換;交換容量大于3.6T，支持不少于144對25G/12.5G serdes;內(nèi)置40Gbps處理能力的NP，轉(zhuǎn)發(fā)時(shí)延小于200us，抖動小于正負(fù)50us;芯片最大功耗小于100W;支持帶內(nèi)隨流檢測功能。光接入局端OLT整機(jī)交換容量大于7.2T，槽位帶寬400G，槽位數(shù)量不少于16個(gè)，支持主備100G主控上聯(lián)板;OLT支持上聯(lián)智能調(diào)整QoS配置，響應(yīng)時(shí)間小于1分鐘;支持VxLAN、SRv6、MPLS、Telemetry、In-band Telemetry協(xié)議;支持10G-PON和50G-PON COMBO線卡;實(shí)現(xiàn)每OLT 10Gbps業(yè)務(wù)流量的用戶體驗(yàn)質(zhì)量實(shí)時(shí)分析。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D005 高精度力控協(xié)作機(jī)器人關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用

　　一、領(lǐng)域：八、先進(jìn)制造及自動化--(三)高性能、智能化儀器儀表

　　二、研究內(nèi)容：

　　研制面向手機(jī)平板等3C產(chǎn)品組裝產(chǎn)線技術(shù)改造需求的力控協(xié)作機(jī)器人，突破高精度本體設(shè)計(jì)、力/觸傳感器、柔順力控、主動安全等關(guān)鍵技術(shù)。研制基于高精度雙編碼器和新型制動器的力控協(xié)作機(jī)器人本體;開發(fā)新型力傳感器和觸覺傳感器，研究精細(xì)作業(yè)狀態(tài)檢測技術(shù);設(shè)計(jì)高精度末端位姿控制機(jī)構(gòu)，面向組裝產(chǎn)線復(fù)雜作業(yè)，研究基于臂-手協(xié)同的主動柔順和精準(zhǔn)靈巧操作技術(shù);研制柔性電子皮膚部件，研究面向組裝作業(yè)的人機(jī)協(xié)作安全技術(shù);實(shí)現(xiàn)高精度力控協(xié)作機(jī)器人系統(tǒng)集成與應(yīng)用示范。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用價(jià)值)≥8000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥30件，其中PCT專利≥5件。獲得協(xié)作機(jī)器人功能安全認(rèn)證與MTBF認(rèn)證。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　裝配精度≤±0.02mm;實(shí)現(xiàn)BTB、RF等多種類型連接器的組裝、線路排布和固定等工藝場景;研制力控協(xié)作機(jī)器人關(guān)鍵裝備：負(fù)載≥3kg,末端速度≥1m/s,重復(fù)定位精度≤±0.01mm，最小可控力0.05N，實(shí)現(xiàn)力控協(xié)作機(jī)器人國產(chǎn)化;研制力傳感器、觸覺傳感器、柔性電子皮膚等關(guān)鍵部件：力傳感器力/力矩量程≥50N/2Nm，分辨率0.05N/0.005Nm，綜合準(zhǔn)度(含串?dāng)_)≤1%FS;三維觸覺傳感器量程≥50N，測量精度≤5%FS;柔性電子皮膚非接觸檢測距離≥15cm，響應(yīng)時(shí)間≤10ms。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過2000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。



　　重2022D006 國產(chǎn)化高性能工業(yè)機(jī)器人控制器研發(fā)及應(yīng)用

　　一、領(lǐng)域：八、先進(jìn)制造及自動化--(四)機(jī)器人

　　二、研究內(nèi)容：

　　基于國產(chǎn)化CPU、FPGA、DDR等核心器件，研究與開發(fā)高性能硬件平臺;研究基于國產(chǎn)化硬件平臺的開源RTOS系統(tǒng)設(shè)計(jì);研究高精軌跡規(guī)劃算法;研究高效率軌跡規(guī)劃算法;實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化高性能工業(yè)機(jī)器人控制器開發(fā)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入≥6000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥15件，其中發(fā)明專利≥10件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：核心器件國產(chǎn)化率100%：CPU架構(gòu)不低于ARM-Cortex A7、主頻≥1GHz、核數(shù)≥4核，F(xiàn)PGA制程≤28nm工藝、邏輯單元數(shù)量≥50K，電流環(huán)帶寬625K，基于EtherCAT總線同步性≤100ns;開源實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)周期抖動≤30μs;控制器支持四種以上構(gòu)型的機(jī)器人，如SCARA機(jī)器人、六關(guān)節(jié)機(jī)器人;支持EtherCAT主站、EtherCAT從站、PROFINET、CAN、Ethernet、Ethernet/IP、MC、Modbus等8種以上總線，支持API、外部軸、力控制功能等關(guān)鍵功能。在六關(guān)節(jié)機(jī)器人和SCARA機(jī)器人上實(shí)現(xiàn)推廣應(yīng)用，工業(yè)機(jī)器人軌跡精度≤0.15mm(負(fù)載能力3Kg-7Kg，臂長500mm-800mm的六關(guān)節(jié)機(jī)器人，40mm/s速度下,參考ISO測試標(biāo)準(zhǔn))，節(jié)拍時(shí)間≤0.27s(負(fù)載能力6kg-10Kg,臂長450mm-650mm的SCARA機(jī)器人，25-300-25mm門型往復(fù)運(yùn)動節(jié)拍時(shí)間，保證到位精度)。

　　備注：工業(yè)機(jī)器人控制器核心器件包括CPU、FPGA、DDR、FLASH、電源管理芯片、PHY。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過2000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)。



　　重2022D007 難加工材料激光精密銑槽與切孔關(guān)鍵技術(shù)和裝備研究與應(yīng)用

　　一、領(lǐng)域：八、先進(jìn)制造及自動化--(六)先進(jìn)制造工藝與裝備

　　二、研究內(nèi)容：

　　研究超快脈沖激光與硬脆、超硬、高溫合金、碳纖維復(fù)合材料激光旋切銑削盲槽、切通孔的關(guān)鍵技術(shù)及提升加工質(zhì)量、效率的方法，揭示超快脈沖激光與相應(yīng)的材料相互作用機(jī)制，研究在線檢測技術(shù);開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的激光旋切頭關(guān)鍵部件和計(jì)算機(jī)輔助制造軟件;構(gòu)建數(shù)控整機(jī)裝備;突破硬脆、超硬材料的盲槽旋切銑削和高溫合金自由曲面上旋切加工微孔及碳纖維復(fù)合材料旋切加工大孔的激光切孔工藝技術(shù)難題;實(shí)現(xiàn)硬脆、超硬材料盲槽精密高效加工，高溫合金材料自由曲面上微孔和碳纖維復(fù)合材料厚板大孔精密高效加工;實(shí)現(xiàn)整機(jī)裝備、軟件、關(guān)鍵部件、工藝技術(shù)的自主化和整體解決方案的示范應(yīng)用。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用價(jià)值)≥6000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥30件，其中發(fā)明專利≥10件;申請軟件著作權(quán)1項(xiàng)。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.研制不少于3種多軸聯(lián)動數(shù)控關(guān)鍵裝備，采用國產(chǎn)激光器，裝備的性能和精度滿足相應(yīng)工藝要求;自主開發(fā)在線穿孔檢測系統(tǒng)、群孔在線精度檢測系統(tǒng)和成形面在線精度檢測系統(tǒng);自主開發(fā)的在線檢測系統(tǒng)孔形在線檢測誤差≤±0.005mm，槽形在線檢測誤差≤±0.001mm，最小檢測圓弧R≤0.05mm;自主研發(fā)不少于1類CAM軟件。

　　2.實(shí)現(xiàn)2種旋切頭部件國產(chǎn)化，自主研制的五軸振鏡旋切頭部件的光束加工范圍0.05mm～1mm，焦點(diǎn)調(diào)節(jié)范圍±1mm，光束傾角范圍±8°，振鏡重復(fù)精度誤差≤2μrad;自主研制的空心電機(jī)旋切頭部件的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到12000rpm，光束加工范圍0.03mm～1mm，焦點(diǎn)移動范圍±3mm，光束傾角范圍±5°。

　　3.滿足4類工藝指標(biāo)，其中玻璃、硅片等硬脆材料銑削盲槽，槽口變形(圓弧半徑)≤0.005mm，槽側(cè)面與表面夾角在90°±2°，無變質(zhì)層和微裂紋;粒徑0.1mm的金剛石磨具銑削盲槽型面尺寸誤差≤±0.02mm，線性誤差≤±0.003mm，型腔內(nèi)角半徑≤0.2mm;高溫合金葉片切孔深徑比≥20:1，最小切孔直徑0.1mm，重熔層厚度≤0.03mm，孔內(nèi)壁粗糙度Ra≤0.8μm，內(nèi)壁無微裂紋，孔中心線與自由曲面夾角最小達(dá)20°;10 mm厚的碳纖維復(fù)合材料切孔直徑范圍10～20 mm時(shí)，孔錐度≤2°，孔口熱影響區(qū)損傷范圍≤0.1mm。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)。



　　重2022D008 面向醫(yī)學(xué)超聲影像裝備的核心芯片研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)醫(yī)學(xué)專用模擬前端AFE芯片關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā);

　　(二)低噪聲、高線性、大動態(tài)范圍、低功耗等綜合性能指標(biāo)平衡的超聲模擬前端設(shè)計(jì)技術(shù)的研發(fā);

　　(三)模擬前端AFE芯片研發(fā)，超低噪聲放大器LNA設(shè)計(jì)和制造、低功耗高速高分辨率的ADC設(shè)計(jì)、低功耗高精度的ADC設(shè)計(jì)、小信號抗干擾設(shè)計(jì)和制造等技術(shù)研發(fā);

　　(四)手持超聲設(shè)備小型化和高集成度硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)、超低功耗模擬電路設(shè)計(jì)、超低功耗數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)、抗干擾硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)、高效率被動散熱設(shè)計(jì)等技術(shù)研發(fā)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥5件，其中發(fā)明專利≥1件，PCT專利≥2件。手持超聲系統(tǒng)取得臨床試驗(yàn)報(bào)告。

　　(二)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.模擬前端AFE芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，滿足如下技術(shù)指標(biāo)：

　　(1)模擬前端AFE芯片良率≥75%;

　　(2)AFE芯片接收通道數(shù)量：64;

　　(3)LNA輸入信號電壓范圍：0-710mV，LNA等效輸入噪聲：2.5nV/rtHz，LNA噪聲系數(shù)：3.5dB at 400Ω，LNA信噪比：65dB;

　　(4)LNA增益范圍：15/18/21dB，PGA增益范圍：21/24/27dB，總增益范圍：36-48dB;

　　(5)ADC采樣頻率：20/40/80MSPS，ADC分辨率：12bit，ADC信噪比：72dBFS;

　　2.完成裝備上述芯片的手持超聲系統(tǒng)集成，并實(shí)現(xiàn)如下技術(shù)指標(biāo)：

　　(1)探頭類型：線陣，探頭頻率：2MHz-13MHz，成像模式：B/C/M/PW，掃描深度≥8cm;

　　(2)發(fā)射通道數(shù)量≥64，接收通道數(shù)量≥64;

　　(3)整機(jī)平均功耗≤5±0.5，整機(jī)重量≤300±30g;

　　(4)電池續(xù)航時(shí)間≥2h(一半時(shí)間掃描，一半時(shí)間凍結(jié));

　　(5)明確臨床應(yīng)用場景，完成樣機(jī)≥20臺，并完成臨床驗(yàn)證，提交相應(yīng)臨床試驗(yàn)報(bào)告。

　　四、組織方式：公開申報(bào)

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：4年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D009 面陣超聲換能器關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)換能器關(guān)鍵原材料、結(jié)構(gòu)及精密加工技術(shù)的研發(fā);

　　(二)實(shí)時(shí)三維超聲成像和全息聲場精準(zhǔn)診療的高端面陣換能器關(guān)鍵零部件的開發(fā);

　　(三)新型模式轉(zhuǎn)換型壓電陣元構(gòu)造方法及工藝研究;

　　(四)經(jīng)食道三維心臟面陣換能器和經(jīng)顱聚焦面陣換能器的研發(fā)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入≥5000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件，PCT專利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.二維面陣超聲成像換能器的中心頻率達(dá)到3.5MHz/7.5MHz，陣元中心間距≤0.3mm，-6dB帶寬≥60%;總陣元數(shù)≥1024;

　　2.經(jīng)食道面陣換能器的中心頻率達(dá)到5MHz，總陣元數(shù)≥2000，-6dB帶寬≥60%，換能器發(fā)射靈敏度≥15kPa/V，成像深度≥90mm, 探頭前端截面尺寸≤17mm*13mm;

　　3.經(jīng)食道心臟超聲3D/4D成像幀率≥20卷/秒，具備3D/4D渲染功能以及4D射血分?jǐn)?shù)自動分析、4D應(yīng)變自動分析以及4D瓣膜定量分析等高端量化分析功能;

　　4.聚焦面陣超聲換能器達(dá)到總陣元數(shù)≥1024，基波頻率范圍500kHz-800kHz，焦距范圍30-80mm，聚焦區(qū)域尺寸3mm*3mm*25mm，單通道輸出功率≤2W，聚焦區(qū)域空間峰值時(shí)間平均聲強(qiáng)10-10^4mW/cm^2;

　　5.實(shí)現(xiàn)面陣超聲診療換能器部件國產(chǎn)化，相關(guān)部件應(yīng)用于磁共振引導(dǎo)超聲神經(jīng)調(diào)控系統(tǒng)、面陣經(jīng)食道心臟超聲設(shè)備，獲得醫(yī)療器械注冊證2項(xiàng)，在我市范圍內(nèi)開展臨床示范應(yīng)用≥5家。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：5年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D010光子計(jì)數(shù)能譜CT探測器研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)光子計(jì)數(shù)探測器陣列的整合工藝、ASG和模組的高精度整合技術(shù)研發(fā);

　　(二)探測器子系統(tǒng)高計(jì)數(shù)率工作模式數(shù)據(jù)采集技術(shù)研究;

　　(三)與探測器子系統(tǒng)匹配的光子計(jì)數(shù)信號校正、圖像重建、物質(zhì)分辨等關(guān)鍵成像算法研發(fā);

　　(四)光子計(jì)數(shù)CT探測器的系統(tǒng)驗(yàn)證平臺的開發(fā);

　　(五)光子計(jì)數(shù)CT探測器整機(jī)系統(tǒng)集成及臨床驗(yàn)證研究;

　　(六)能譜CT的人體化學(xué)成分定性定量分析研究。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請發(fā)明專利≥5件。

　　(二)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.探測器物理排數(shù)≥64排，探測器物理層厚小于0.5mm,最大有效視野≥500mm,最高空間分辨率≥30lp/cm,能量最大分辨能級≥2個(gè)(可移動能級)，探測器最大計(jì)數(shù)率≥100Mcps關(guān)于2022年度深圳市技術(shù)攻關(guān)重大項(xiàng)目的申報(bào)通知(圖1)2;

　　2.當(dāng)CTDIvol≥27mGy時(shí)，實(shí)現(xiàn)2mm物體的CT圖像低對比度分辨≥0.3%;

　　3.應(yīng)用新型探測器后，能譜CT輻射劑量降低20%以上;

　　4.完成光子計(jì)數(shù)探測器CT系統(tǒng)驗(yàn)證平臺1項(xiàng)，并滿足國家針對光子計(jì)數(shù)CT系統(tǒng)的檢驗(yàn)規(guī)范和技術(shù)要求;

　　5.完成光子計(jì)數(shù)探測器子系統(tǒng)樣機(jī)≥2臺;

　　6.樣機(jī)完成臨床驗(yàn)證，并取得第三方測試報(bào)告。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：4年

　　七、資助資金：不超過2500萬元



　　重2022D011 介入專用超導(dǎo)磁共振成像系統(tǒng)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)介入用大孔徑磁體的動態(tài)勻場和渦流動態(tài)補(bǔ)償技術(shù)研發(fā);

　　(二)高質(zhì)量介入手術(shù)實(shí)時(shí)引導(dǎo)技術(shù)研發(fā);

　　(三)高精度實(shí)時(shí)溫度成像技術(shù)研發(fā);

　　(四)基于人工智能的目標(biāo)自動定位技術(shù)研發(fā)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入≥1000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥12件，其中發(fā)明專利≥6件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.磁體技術(shù)：實(shí)現(xiàn)用于介入治療的超導(dǎo)無液氦磁體，磁體患者孔徑≥80cm，磁場強(qiáng)度0.6T±3%，磁場穩(wěn)定性<0.1 ppm/h，磁場不均勻性<5ppm (50cm×50cm×45cm DSV),重量<2000kg;

　　2.梯度系統(tǒng)：梯度強(qiáng)度≥30mT/m,切換率≥90T/m/s，梯度非線性度≤10%;射頻系統(tǒng)最大功率≥12kW，最大帶寬≥1MHz，標(biāo)準(zhǔn)配置射頻通道數(shù)≥16，可支持射頻通道數(shù)≥32，包含頭頸線圈，脊柱線圈和體部柔性線圈;

　　3.病床：承重≥250kg，垂直升降范圍：500mm-900mm，垂直升降速度30mm/s±10%，水平移動范圍≥2200mm，水平移動最大速度100mm/s±10%;水平移動精度±0.5mm;

　　4.成像：實(shí)現(xiàn)磁共振圖像實(shí)時(shí)引導(dǎo)，平面內(nèi)分辨率≤2mm，成像幀率≥20幀/秒;

　　5.溫度安全監(jiān)控：實(shí)現(xiàn)快速高精度溫度成像，測量精度≤2℃，成像時(shí)間≤3秒;

　　6.基于人工智能的目標(biāo)自動定位技術(shù)，定位精度≤2mm。

　　7.完成介入磁共振系統(tǒng)≥1套，并取得醫(yī)療器械注冊證。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：4年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D012大型醫(yī)療設(shè)備實(shí)時(shí)安全操作系統(tǒng)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)大型醫(yī)療設(shè)備自主可控實(shí)時(shí)安全操作系統(tǒng)的內(nèi)核架構(gòu)、實(shí)時(shí)任務(wù)調(diào)度以及實(shí)時(shí)中斷響應(yīng)等關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā);

　　(二)高穩(wěn)定性、高可靠性、高安全性限制下極小時(shí)延的實(shí)時(shí)任務(wù)調(diào)度、微秒級實(shí)時(shí)中斷響應(yīng)技術(shù)研發(fā);

　　(三)實(shí)現(xiàn)支持X86-64/ARM64 CPU架構(gòu)以及SMP多核處理器的實(shí)時(shí)安全操作系統(tǒng)研發(fā);

　　(四)開展符合IEC 62304 Class C安全要求的實(shí)時(shí)安全操作系統(tǒng)在大型醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用研究。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件、PCT專利≥2件。獲得醫(yī)療軟件安全認(rèn)證體系IEC 62304 Class C認(rèn)證申請受理回執(zhí)。

　　(二)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.實(shí)時(shí)安全操作系統(tǒng)支持X86-64/ARM64 CPU架構(gòu)以及SMP多核處理器;

　　2.實(shí)時(shí)中斷響應(yīng)最大延時(shí)≤5μs，實(shí)時(shí)任務(wù)調(diào)度最大延時(shí)≤80μs;

　　3.可靠性滿足7*24小時(shí)滿負(fù)荷條件下的失效概率≤0.01‰，穩(wěn)定性滿足7*24小時(shí)無宕機(jī);

　　4.安全性滿足IEC 62304 Class C安全要求中關(guān)于軟件開發(fā)流程、軟件需求分析和軟件設(shè)計(jì)的要求，并通過第三方機(jī)構(gòu)檢測;

　　5.實(shí)現(xiàn)應(yīng)用該實(shí)時(shí)安全操作系統(tǒng)的大型醫(yī)療設(shè)備數(shù)量≥2種;

　　6.產(chǎn)品在應(yīng)用評價(jià)單位實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品應(yīng)用并獲得用戶評價(jià)報(bào)告。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：5年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D013即時(shí)檢驗(yàn)(POCT)關(guān)鍵技術(shù)平臺研發(fā)與應(yīng)用

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)低成本、單人份多靶標(biāo)聯(lián)檢的POCT系統(tǒng)、芯片結(jié)構(gòu)及大規(guī)模生產(chǎn)工藝的研發(fā);

　　(二)POCT系統(tǒng)凍干試劑、試劑常溫運(yùn)輸及儲存、單人份試劑封裝技術(shù)的研發(fā);

　　(三)POCT系統(tǒng)液路控制模塊、混勻模塊、集成光學(xué)檢測模塊等核心零部件以及級聯(lián)模塊的研發(fā);

　　(四)具有云質(zhì)控和云審核功能的POCT質(zhì)量管理系統(tǒng)軟件的研發(fā);

　　(五)POCT設(shè)備、試劑及質(zhì)量管理系統(tǒng)在基層醫(yī)療機(jī)構(gòu)的臨床應(yīng)用與評價(jià)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥12件，其中發(fā)明專利≥5件，PCT專利≥2件，軟件著作權(quán)≥3件。

　　(二)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.平臺檢測項(xiàng)目≥30項(xiàng)，包括常見病、多發(fā)病、重大疾病等標(biāo)志物(糖尿病、心血管疾病、腎臟疾病、變態(tài)反應(yīng)性疾病、急性傳染病、肝膽系統(tǒng)疾病、呼吸道傳染病等);

　　2.根據(jù)臨床需要，不同檢測項(xiàng)目可以制備出不同的檢測芯片，每個(gè)芯片可同時(shí)檢測項(xiàng)目1-10項(xiàng);

　　3.多聯(lián)檢項(xiàng)目檢測時(shí)間：生化項(xiàng)目檢測時(shí)間≤12min，免疫項(xiàng)目檢測時(shí)間≤45min，核酸項(xiàng)目檢測時(shí)間≤60min;

　　4.多聯(lián)檢芯片量產(chǎn)成本：測量生化項(xiàng)目的芯片成本≤1元，免疫項(xiàng)目芯片成本≤5元，測量核酸項(xiàng)目的芯片成本≤20元;

　　5.開發(fā)1套POCT全面質(zhì)量管理軟件系統(tǒng)，可對接不同類型、不同品牌POCT儀器設(shè)備，實(shí)現(xiàn)從標(biāo)本采集到結(jié)果報(bào)告的全流程質(zhì)量管理，以及云審核和云報(bào)告，并滿足ISO22870和ISO15189國際標(biāo)準(zhǔn)要求;

　　6.軟件系統(tǒng)包括標(biāo)本管理、人員管理、文件管理、設(shè)備管理、質(zhì)量控制、內(nèi)部比對、結(jié)果報(bào)告、質(zhì)量指標(biāo)、決策支持等功能模塊;

　　7.開發(fā)取得醫(yī)療器械注冊證受理回執(zhí)的試劑盒≥10項(xiàng)，其中，每類設(shè)備配套試劑獲批醫(yī)療器械注冊證≥1項(xiàng)。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：4年

　　七、資助資金：不超過2000萬元



　　重2022D014重大疾病新型生物標(biāo)志物及檢測技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)具備顯著臨床意義的新型生物標(biāo)志物或標(biāo)志物組合篩選和鑒定技術(shù)研發(fā);

　　(二)高通量、超靈敏的免疫及分子檢測技術(shù)研發(fā);

　　(三)適用于新型標(biāo)志物的超靈敏、全流程自動化設(shè)備及關(guān)鍵元器件研發(fā);

　　(四)配套原材料及檢測試劑研發(fā);

　　(五)規(guī)?；a(chǎn)關(guān)鍵工藝研究;

　　(六)開展多中心臨床研究，建立標(biāo)準(zhǔn)化與臨床復(fù)雜樣本分析等平臺。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請發(fā)明專利≥20件，其中PCT專利≥2件。

　　(二)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.針對心腦血管、重大慢病、炎癥等疾病，優(yōu)選新型標(biāo)志物≥3種;

　　2.開發(fā)針對新標(biāo)志物的高通量、超靈敏、全自動檢測系統(tǒng)≥2套，其中，至少一套檢測靈敏度達(dá)到10 fg/mL;響應(yīng)時(shí)間≤200ms;

　　3.獲得標(biāo)志物的診斷性能指標(biāo)(敏感性、特異性、NPV、PPV)，并形成臨床應(yīng)用方案;

　　4.完成相應(yīng)檢測產(chǎn)品的研發(fā)，并獲得醫(yī)療器械注冊證≥3項(xiàng)。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：5年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D015新型基因測序一體機(jī)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫(yī)療儀器、設(shè)備與醫(yī)學(xué)專用軟件

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)超高密度陣列式測序芯片、超低試劑消耗量的快速微流體系統(tǒng)、快速高性能測序成像系統(tǒng)等技術(shù)研發(fā);

　　(二)開發(fā)超快速高準(zhǔn)確性的新型基因測序技術(shù)和集成化樣本前處理技術(shù)研發(fā);

　　(三)人工智能算法與新型文庫制備技術(shù)研發(fā);

　　(四)適用于一體化的測序儀關(guān)鍵零部件研發(fā)，包括光學(xué)檢測系統(tǒng)、移取操縱平臺、驅(qū)動器、控制器、微流體器件等;

　　(五)生育健康、腫瘤和病原微生物等領(lǐng)域基因檢測試劑盒研發(fā)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥15項(xiàng)，其中發(fā)明專利≥8項(xiàng)。

　　(二)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.實(shí)現(xiàn)雙端測序讀長≥300堿基，雙端測序Paired-end150測序時(shí)間≤15h，單張芯片數(shù)據(jù)產(chǎn)量≥1T，Paired-end150測序質(zhì)量Q30≥90%，測序準(zhǔn)確度≥99.5%，測序重復(fù)序列率≤5%;

　　2.采用腫瘤位點(diǎn)突變檢測應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)品，驗(yàn)證測序儀性能滿足檢測靈敏度：LOD:FFPE≤0.5%，ctDNA(circulating tumor DNA)≤0.2%(分子標(biāo)簽UMI(Unique molecular identifier);特異性≥99%;

　　3.實(shí)現(xiàn)從樣本到結(jié)果全流程集成，分析時(shí)間≤24h，能實(shí)現(xiàn)本地分析一體化，輸出測序結(jié)果為標(biāo)準(zhǔn)FASTQ格式和VCF格式(Variant Call Format);

　　4.測序儀取得國家醫(yī)療器械注冊證，取得醫(yī)療器械注冊證的配套試劑盒≥5項(xiàng);

　　5.實(shí)現(xiàn)樣本處理類型≥3種，包括并不限于全血、血漿、唾液等。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：5年

　　七、資助資金：不超過3000萬元



　　重2022D0165G/6G高頻通訊用液晶高分子材料關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：四、新材料--(三)高分子材料

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)研究液晶高分子(LCP)樹脂的設(shè)計(jì)、篩選合成及優(yōu)化工藝;

　　(二)研究高頻條件下LCP樹脂的介電損耗和介電常數(shù)的模擬仿真及材料基因數(shù)據(jù)庫;

　　(三)研究LCP樹脂結(jié)構(gòu)-工藝-性能的構(gòu)效關(guān)系，開發(fā)LCP測試應(yīng)用驗(yàn)證平臺及LCP量產(chǎn)工藝技術(shù);

　　(四)開發(fā)LCP薄膜及高速連接器成型工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)LCP薄膜和連接器在5G領(lǐng)域典型應(yīng)用驗(yàn)證。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用價(jià)值)≥5000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1、開發(fā)符合5G連接器用的LCP樹脂，主要性能如下：

　　(1)LCP材料介電性能：

　　56G/112G連接器LCP樹脂：介電常數(shù)≈4.15 @10GHz，介電損耗因子≤0.001 @10GHz;

　　224G連接器LCP樹脂：介電常數(shù)≤2.5 @10GHz，介電損耗因子≤0.001 @10GHz;

　　(2)彎曲模量(ISO)≥11 GPa;

　　(3)懸臂梁缺口沖擊強(qiáng)度(ISO)≥ 10 kJ?m-2 。

　　2、開發(fā)LCP薄膜，主要性能如下：

　　(1)LCP膜介電常數(shù)≤2.9 @10GHz;

　　(2)LCP膜介電損耗角因子≤0.002 @10GHz;

　　(3)LCP膜拉伸強(qiáng)度(ASTM)：縱向方向(MD)≥100 MPa，橫向方向(TD)≥100 MPa;

　　(4)LCP膜的吸水率≤0.2%;

　　(5)實(shí)現(xiàn)厚度范圍在25-100 μm的電子級LCP薄膜連續(xù)成型，滿足連續(xù)覆銅和回流焊的使用要求。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。



　　重2022D017高膨脹低損耗高頻低溫共燒陶瓷材料關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：四、新材料--(二)無機(jī)非金屬材料

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)研究高膨脹低損耗高頻低溫共燒陶瓷(LTCC)介質(zhì)材料的構(gòu)效關(guān)系及其性能調(diào)控;

　　(二)開發(fā)陶瓷粉體及生瓷帶的批量化制備工藝技術(shù);

　　(三)研究生瓷帶與電極漿料的共燒匹配性工藝;

　　(四)實(shí)現(xiàn)高膨脹低損耗高頻LTCC介質(zhì)材料的進(jìn)口替代及其在典型器件的應(yīng)用驗(yàn)證。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用價(jià)值)≥1000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.介電常數(shù)≤6.0@10GHz;介電損耗因子≤ 0.001@10GHz;

　　2.熱膨脹系數(shù)CTE(陶瓷材料)：11.7 ppm?℃-1≤CTE≤15 ppm?℃-1，誤差≤0.2 ppm?℃-1;熱導(dǎo)率≥3.0 W?m-1?K-1;

　　3.抗彎強(qiáng)度≥200 MPa;

　　4.LTCC配方粉粒度D50 ≤2 μm，D95 ≤5 μm;

　　5.實(shí)現(xiàn)LTCC配方粉體批量生產(chǎn)，生瓷帶產(chǎn)能30萬m2/年;LTCC配方粉體在2-3個(gè)關(guān)鍵射頻模塊中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用驗(yàn)證，如：耦合器、濾波器、28-60 GHz毫米波射頻模組產(chǎn)品;LTCC模塊產(chǎn)能≥100萬只/年。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求由企業(yè)牽頭申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。



　　重2022D018晶圓級先進(jìn)封裝用光敏聚酰亞胺關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：四、新材料--(三)高分子材料

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)研究晶圓級先進(jìn)封裝用光敏聚酰亞胺(PSPI)前驅(qū)體樹脂結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、合成和固化性能評價(jià)，建立PSPI前驅(qū)體樹脂的構(gòu)效關(guān)系;

　　(二)開發(fā)PSPI樹脂的純化工藝和PSPI前驅(qū)體樹脂的工程放大技術(shù);

　　(三)研究PSPI材料配方的感光體系設(shè)計(jì)、光刻工藝性能以及多界面粘附性能;

　　(四)研究PSPI材料在晶圓級封裝制程中的工藝驗(yàn)證、工藝適配性和長期服役可靠性。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用價(jià)值)≥1000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.固化溫度：250-300 ℃，涂覆膠層厚度：5-20 μm，膠膜固化后殘膜率≥55%;

　　2.楊氏模量≥3.1 GPa，斷裂應(yīng)力≥130 MPa，斷裂伸長率≥35%;

　　3.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度≥250 ℃，5 wt%失重時(shí)溫度≥370 ℃，熱膨脹系數(shù)35-70 ppm?K-1，殘余應(yīng)力≤30 MPa;

　　4.介電常數(shù)≤3.2@5GHz，介電損耗因子≤0.012@5GHz，介電擊穿強(qiáng)度≥250 kV?mm-1;

　　5.感光度200-400 mJ?cm-2;最小特征線寬線距L/S≤5μm, 深寬比≥1;

　　6.與Si、Cu、Al、SiN、環(huán)氧模塑等多種材料基底界面粘接力良好，粘結(jié)力≥70 MPa;

　　7.實(shí)現(xiàn)PSPI材料在晶圓級封裝中的封裝工藝驗(yàn)證，并通過高低溫循環(huán)試驗(yàn)可靠性測試;

　　8.PSPI產(chǎn)品通過應(yīng)用評價(jià)單位驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)PSPI材料單批次量產(chǎn)≥50 kg，并在晶圓級封裝產(chǎn)線中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，達(dá)到年產(chǎn)晶圓≥5000片應(yīng)用。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求有企業(yè)參與申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。



　　重2022D019芯片級底部填充膠關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域：四、新材料--(三)高分子材料

　　二、研究內(nèi)容：

　　(一)研究CoWoS封裝用底部填充膠樹脂、固化劑、催化劑、增韌劑等關(guān)鍵助劑的設(shè)計(jì)合成;

　　(二)研究底部填充膠固化動力學(xué)、濕熱老化性能與關(guān)鍵助劑分子結(jié)構(gòu)的構(gòu)效關(guān)系;

　　(三)開發(fā)具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的CoWoS封裝用芯片級底部填充膠;

　　(四)研究底部填充膠降粘技術(shù)及其與助焊劑的適配兼容性，開發(fā)提升界面粘接/本體強(qiáng)度的增強(qiáng)技術(shù);

　　(五)開發(fā)CoWoS封裝用底部填充膠量產(chǎn)工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)典型封裝工藝和器件的驗(yàn)證并進(jìn)行可靠性評價(jià)。

　　三、考核指標(biāo)：

　　(一)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用價(jià)值)≥1000萬元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標(biāo)：申請專利≥10件，其中發(fā)明專利≥5件。

　　(三)技術(shù)指標(biāo)：

　　1.填料最大尺寸≤3μm;

　　2.粘度≤20 Pa?s;熱膨脹系數(shù)CTE1≤26 ppm?K-1，熱膨脹系數(shù)CTE2≤87 ppm?K-1;

　　3.室溫模量(Tg)≥0.2 GPa，Tg≥170 ℃(動態(tài)熱機(jī)械分析法);

　　4.斷裂韌性K1C(室溫)≥4.0 MPa?m1/2，吸水率≤1.0%;

　　5.封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)歷預(yù)處理試驗(yàn)(60℃/60%RH@40h)、260℃回流焊3次、高溫加速老化試驗(yàn)(130℃，85RH%，96h)、高低溫循環(huán)老化試驗(yàn) (-55℃~125℃) 700次、高溫存儲 (150℃,1000h) 器件界面無明顯分層及開裂失效問題;

　　6.底部填充膠產(chǎn)品通過應(yīng)用評價(jià)單位驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)芯片級底部填充材料年產(chǎn)≥50公斤，實(shí)現(xiàn)在CoWoS封裝工藝中年產(chǎn)≥1000顆芯片的批量應(yīng)用。

　　四、組織方式：公開競爭

　　五、資助方式：里程碑式

　　六、實(shí)施年限：3年

　　七、資助資金：不超過3000萬元

　　有關(guān)情況說明：要求有企業(yè)參與申報(bào)，并有應(yīng)用評價(jià)單位提供產(chǎn)品用戶評價(jià)報(bào)告。


  


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