各有關(guān)單位：

　　按照廣東省發(fā)展改革委通知要求，現(xiàn)圍繞我市半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域發(fā)展需求，組織開展首批廣東省工程研究中心申報。有關(guān)事項通知如下：

　　一、申報基本條件

　?。?）申報單位應(yīng)從事相關(guān)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)，具備良好的產(chǎn)學(xué)研合作基礎(chǔ)；擁有一批能夠帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高水平技術(shù)研發(fā)成果和技術(shù)儲備，部分成果已成功實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；能為省工程研究中心的建設(shè)和運(yùn)行提供資金支持。

　　（2）工程研究中心建設(shè)項目要有明確可行的發(fā)展思路、研發(fā)任務(wù)和建設(shè)目標(biāo)；建設(shè)方案合理，管理和運(yùn)行機(jī)制規(guī)范；項目要有新增固定資產(chǎn)投資（建筑工程或新購置設(shè)備），建設(shè)期一般不超過3年。

　?。?）在本行業(yè)具有較強(qiáng)的影響力，研發(fā)人員總數(shù)不少于50人，其中專職研發(fā)人員不少于30人。

　?。?）研發(fā)設(shè)備原值：設(shè)計類不少于1000萬元，制造類不少于3000萬元，

　　（5）研發(fā)場地不少于2000平方米。

　?。?）主持（承擔(dān)）過省級以上科研計劃或主持（參與）過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定。

　?。?）在深圳市發(fā)改委不存在逾期未驗收的已獲資助項目。

　?。?）已在市發(fā)改委獲批市級工程研究中心的，本次不得申報同一領(lǐng)域的省級工程研究中心。

　　二、申報領(lǐng)域

　　重點(diǎn)資助半導(dǎo)體及集成電路以下領(lǐng)域：

　　1.芯片設(shè)計。（1）圍繞高端芯片研發(fā)設(shè)計需要，建設(shè)芯片設(shè)計工具軟件研發(fā)和測試平臺，開展數(shù)字電路EDA工具核心技術(shù)攻關(guān)，推動模擬或數(shù)?；旌想娐稥DA工具軟件實現(xiàn)設(shè)計全覆蓋，開展EDA云上架構(gòu)和應(yīng)用AI技術(shù)研發(fā)，開展TCAD、封裝EDA工具開發(fā)，以及底層算法與機(jī)構(gòu)技術(shù)的研發(fā)，提升自主研發(fā)工具軟件國產(chǎn)化水平，增強(qiáng)對高端芯片設(shè)計的服務(wù)功能。（2）面向重點(diǎn)領(lǐng)域高端通用芯片的市場需求，建設(shè)芯片設(shè)計研發(fā)、模擬仿真和測試平臺，開展射頻芯片（含毫米波芯片）、第三代半導(dǎo)體芯片、傳感器芯片、基帶芯片、光通信芯片、顯示驅(qū)動芯片、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級AI芯片等專用芯片設(shè)計，探索開展太赫茲芯片研發(fā)，提升高端芯片設(shè)計能力和工程化驗證能力。

　　2.芯片工藝制程。圍繞高端芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)問題，建設(shè)芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、中試和測試平臺，開展FinFET特色工藝制程、先進(jìn)工藝制程開發(fā)，探索FDSOI等新技術(shù)路徑開發(fā)，提升芯片生產(chǎn)制造技術(shù)水平，滿足射頻芯片、顯示驅(qū)動等產(chǎn)品生產(chǎn)制造需求。

　　3.先進(jìn)封裝測試。圍繞提升芯片封裝測試競爭力，建設(shè)先進(jìn)封裝測試研發(fā)和工程化驗證平臺，開展晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)，以及脈沖序列測試、MEMS探針、IC集成探針卡等先進(jìn)晶圓級測試技術(shù)開發(fā)，開展超高速光通信核心器件與模塊封測技術(shù)開發(fā)，為封裝測試工藝技術(shù)升級和產(chǎn)能提升提供重要研發(fā)平臺支撐。

　　4.關(guān)鍵材料與器件。針對半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料及器件薄弱環(huán)節(jié)，建設(shè)關(guān)鍵材料與器件研發(fā)及工程化驗證平臺，開展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料以及化合物半導(dǎo)體器件和模塊的開發(fā)，開展氟聚酰亞胺、光刻膠等電子化學(xué)品材料以及納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體等元器件關(guān)鍵材料研發(fā)，著力提升關(guān)鍵材料與器件在芯片生產(chǎn)制造中的市場應(yīng)用水平。

　　5.關(guān)鍵裝備與零部件。針對芯片生產(chǎn)制造中關(guān)鍵設(shè)備及零部件短板問題，建設(shè)芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā)及工程化驗證平臺，開展光學(xué)和電子束光刻機(jī)關(guān)鍵部件、先進(jìn)封裝技術(shù)專用設(shè)備研發(fā)，開展缺陷檢測設(shè)備、激光加工設(shè)備、半導(dǎo)體器件巨量組裝設(shè)備等整機(jī)設(shè)備研發(fā)，以及高精密陶瓷零部件、射頻電源、高速高清投影鏡頭等設(shè)備關(guān)鍵零部件研發(fā)，推動關(guān)鍵設(shè)備及零部件在芯片生產(chǎn)制造中的應(yīng)用。（咨詢電話：88127158,88103359）

　　6.前沿技術(shù)綜合創(chuàng)新。面向半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢，建設(shè)新一代半導(dǎo)體及集成電路綜合研發(fā)平臺，圍繞工具軟件、芯片架構(gòu)、芯片設(shè)計、特色工藝制程、半導(dǎo)體新材料、生產(chǎn)設(shè)備核心部件等環(huán)節(jié)，開展關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，積極開展混合集成、異構(gòu)集成等技術(shù)研發(fā)，加強(qiáng)多種技術(shù)路線探索，加速先進(jìn)適用技術(shù)在半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

　　三、申報方式

　　1.項目單位需編制完成資金申請報告（參見附件1）和項目基本信息表（參見附件2、附件3），壓縮打包命名為“XX公司-XX方向-省工程研究中心申報”（如：甲公司-1.芯片設(shè)計-省工程研究中心申報）,郵件發(fā)送至gjsc@fgw.sz.gov.cn。

　　2.請申報單位提前在區(qū)（新區(qū)）發(fā)展改革部門做好項目備案或核準(zhǔn)工作。在線登錄廣東省政務(wù)服務(wù)網(wǎng)（深圳市），選擇申報單位所在相應(yīng)的區(qū)，進(jìn)行“企業(yè)投資項目備案”。備案證書作為附件編入資金申請報告文件。

　　3.申報單位對申報材料真實性負(fù)責(zé)，并出具承諾書作為附件編入資金申請報告（附件3）。

　　4.申報時間為2020年7月31日至8月9日，逾期不再受理。

　　深圳市發(fā)展和改革委員會

　　2020年7月31日